国家存储器基地项目二期开工 产业链公司受关注

6月20日,国家存储器基地项目二期在武汉东湖高新区开工。国家存储器基地项目由紫光集团、国家集成电路基金、湖北省科投集团和湖北省集成电路基金共同投资建设,计划分两期建设3D NAND…

6月20日,国家存储器基地项目二期在武汉东湖高新区开工。国家存储器基地项目由紫光集团、国家集成电路基金、湖北省科投集团和湖北省集成电路基金共同投资建设,计划分两期建设3D NAND闪存芯片工厂。该项目一期于2016年底开工建设,进展顺利,32层、64层存储芯片产品已实现稳定量产,并成功研制出全球首款128层三维闪存芯片。

在国家存储器基地项目二期开工仪式上,湖北省省长王晓东表示,国家存储器基地项目二期开工,是落实中央支持湖北一揽子政策的具体行动,也是强化湖北疫后重振重大项目支撑的有力举措,必将加快形成湖北创新发展的“产业航母”,为拓展壮大“光芯屏端网”产业链注入强劲动力。

国信证券表示,存储器产业从趋势上看,DRAM和NAND均处于技术快速突破阶段,预计下半年DRAM1Z制程以及NAND新代产品将会量产。国产内存颗粒生产的内存模组产品已经开始上市销售,显示国内存储芯片产业正处于0到1的突破阶段。

相关公司:

兆易创新:拟定增募资不超过43.24亿元,用于DRAM芯片研发项目及补充流动资金,项目实施后将成为国内首家覆盖全存储产品线设计能力的芯片企业。公司是全球领先的存储器芯片供应商,公司联合合肥长鑫积极布局DRAM领域,为DRAM国产化保驾护航。

深科技:全资子公司沛顿科技是国内最大的高端DRAM封测企业,客户包括全球第一大独立内存制造商金士顿、希捷、西部数据等,是国内具有从集成电路高端DRAM/Flash晶圆封测到模组、成品生产完整产业链的企业。

作者: huii

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