9月22日晚间，佰维存储（688525.SH）发布公告，公司及控股子公司广东芯成汉奇半导体技术有限公司拟与东莞松山湖高新技术产业开发区管理委员会签署《晶圆级先进封测制造项目三期合作协议》，投资建设晶圆级先进封测制造项目三期，项目总投资约45亿元，其中固定资产投资40亿元。
公告细节显示，本次三期项目属于原有基地的增资扩产，全部建设内容在原项目工业用地范围内实施，不涉及新增用地。资金来源为广东芯成汉奇自有及自筹资金，含第三方增资款、银行贷款等，不涉及上市公司募集资金。该事项已经公司董事会审议通过，无需提交股东大会审议。
回溯产能建设节奏，公司晶圆级先进封测项目一期、二期计划累计投资30.9亿元，目前对应2.5D封装月产能约300片。其中一期已完成厂房建设及设备安装调试，二期设备陆续进场安装调试，整体处于客户送样、工艺验证及小批量试产阶段，尚未正式形成量产收益。按照此前规划，项目预计2026年底实现月产能500片，2027年底提升至月产1万片，本次三期投资正是对该产能目标的加码支撑。技术储备层面，广东芯成汉奇已构建覆盖2.5D、RDL、Fan-in、Fan-out等多种先进封装形式的技术平台，目前先进封装良率已达95%以上，预计综合毛利率约为30%-40%。
大手笔扩产的底气，来自上半年业绩的爆发式增长。2026年半年报显示，公司实现营业收入155.75亿元，同比增长298.10%；归母净利润71.66亿元，上年同期亏损2.26亿元，同比实现扭亏为盈。增长核心来自AI算力带动的存储需求爆发，其中AI新兴端侧存储产品收入约28.6亿元，同比增长433.58%。供应链端，截至2026年6月30日公司存货余额181.68亿元，并与全球主流存储原厂签署两份长期原材料采购协议，累计承诺采购金额33.608亿美元，锁定未来两年核心原材料供应，为产能扩张提供了供应链保障。
从战略层面看，本次扩产是公司“研发封测一体化”战略的关键落子。公司正从传统存储解决方案供应商，升级为AI时代“存储+晶圆级先进封测”全栈技术服务商，通过先进封装技术打造生态链，覆盖AI硬件基础设施“存、算、运”三大核心领域。除封测布局外，公司自研国产eMMC主控芯片已实现规模化量产交付，UFS主控芯片完成回片验证，小容量NAND Flash产品也陆续进入验证阶段，技术布局逐步向产业链上游延伸。
本次扩产并非行业个例，先进封装正成为全行业产能竞赛的核心赛道。此前封测龙头长电科技已将2026年固定资产投资预算上调至约100亿元，重点投向先进封装产线；通富微电推出44亿元定增计划，加码存储芯片、晶圆级封装等领域产能。据Yole Group 2026年7月发布的报告，2025年全球先进封装市场规模为550亿美元，预计到2031年将超过1200亿美元，届时先进封装将占整个半导体封装营收的多数席位。
公司同时提示了多重风险。项目基于当前行业趋势与市场判断作出，但受宏观经济、行业政策、市场环境变化等因素影响，可能存在建设进度不及预期、产能爬坡慢于计划、客户导入未达目标等风险，最终收益存在不确定性。
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